机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2005 [12]

学科主题

• 半导体材料 [9]
• 光电子学 [2]
• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2005    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Novel electroabsorption modulator monolithically integrated with spot-size converter 期刊论文  OAI收割 chinese optics letters, 2005, 卷号: 3, 期号: 1, 页码: 49-52 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417 作者:  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：169/1  |  提交时间：2010/11/23 An Electroabsorption Modulator Monolithically Integrated with a Semiconductor Optical Amplifier and a Dual-Waveguide Spot-Size Converter 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1504-1508 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 One-step growth of ZnO from film to vertically well-aligned nanorods and the morphology-dependent Raman scattering 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: art.no.231903 Cong, GW; Wei, HY; Zhang, PF; Peng, WQ; Wu, JJ; Liu, XL; Jiao, CM; Hu, WG; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：115/24  |  提交时间：2010/03/17 NANOWIRES   Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1688-1691 作者:  Wang Wei;  Pan Jiaoqing;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of Space Ordered on GaAs（100） Vicinal 1.3μm InAs Quantum Dots Substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2074-2079 作者:  Wang Wei;  Liang song;  Pan Jiaoqing;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2053-2057 作者:  Zhang Jing;  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：59/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Butt-Joint Monolithicaily Integrated DFB-LD/EA-MD Light Source for 10Gbit/s Transmission 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1100-1103 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 1.55μm Laser Diode Monolithically Integrated with Spot-Size Converter Using Conventional Process 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 443-447 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：118/1  |  提交时间：2010/11/23