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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2006 [1]
1998 [1]
1995 [1]
1990 [2]
1988 [1]
学科主题
半导体物理 [6]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
学科主题:半导体物理
条数/页:
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95
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Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906
Wu MF
;
Yao SD
;
Vantomme A
;
Hogg S
;
Pattyn H
;
Langouche G
;
Yang QQ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
YTTRIUM-SILICIDE LAYERS
ERSI1.7 LAYERS
COSI2 LAYERS
THIN-FILMS
IMPLANTATION
SI
DIFFRACTION
STABILITY
KINETICS
SI(111)
CHARACTERISTICS OF OXIDES FORMED FROM A SI0.5GE0.5
期刊论文
OAI收割
surface science, 1995, 卷号: 334, 期号: 0, 页码: l705-l708
XING YR
;
WU JA
;
YIN SD
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
ALLOYS
AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY
OXIDATION
PHOTOELECTRON EMISSION
SEMICONDUCTOR-INSULATOR INTERFACES
SILICON OXIDES
SILICON-GERMANIUM
X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
OXIDATION
GERMANIUM
SIGE
ANOMALOUS ION CHANNELING IN INGAAS GAAS STRAINED HETEROJUNCTION
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 1990, 卷号: 68, 期号: 5, 页码: 2100-2104
WU CW
;
YIN SD
;
ZHANG JP
;
XIAO GM
;
LIU JR
;
ZHU PR
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
ANOMALOUS ION CHANNELING EFFECTS IN INGAAS/GAAS STRAINED HETEROJUNCTIONS
期刊论文
OAI收割
chinese physics, 1990, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 55-62
WU CW
;
YIN SD
;
ZHANG JP
;
XIAO GM
;
LIU JR
;
ZHU PR
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浏览/下载:142/17
  |  
提交时间:2010/11/15
AXIAL CHANNELING STUDIES OF HETEROEPITAXIAL IN0.25GA0.75AS ON GAAS
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 1988, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 1181-1183
YIN SD
;
WU CW
;
ZHANG JP
;
LIU JR
;
ZHU PR
;
WANG Y
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提交时间:2010/11/15