机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain evolution in gan layers grown on high-temperature aln interlayers 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: 3 作者:  Wang, J. F.;  Yao, D. Z.;  Chen, J.;  Zhu, J. J.;  Zhao, D. G. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION