中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [3]
学科主题
光电子学 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2007
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:51/5
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
The influence of V/III ratio in the initial growth stage on the properties of GaN epilayer deposited on low temperature AlN buffer layer
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 414-418
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/03/29
V/III ratio