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半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2015 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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共2条,第1-2条
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发表日期:2015
条数/页:
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Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes
期刊论文
OAI收割
phys. status solidi a, 2015, 卷号: 212, 期号: 5, 页码: 1158-1161
He Kang
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Cuimei Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hong Chen
;
Haibo Yin
;
Shenqi Qu
;
Enchao Peng
;
Jiamin Gong
;
Xiaoliang Wang
;
Baiquan Li
;
Zhanguo Wang
;
Xun Hou
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提交时间:2016/03/29
A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
期刊论文
OAI收割
chin. phys. lett., 2015, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 58501-58504
Lei Cui
;
Quan Wang
;
XiaoLiang Wang
;
HongLing Xiao
;
CuiMei Wang
;
LiJuan Jiang
;
Chun Feng
;
HaiBo Yin
;
JiaMin Gong
;
BaiQuan Li
;
ZhanGuo Wang
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提交时间:2016/03/29