机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2003 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体化学 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Direct Observation of Inhomogeneous Solid Electrolyte Interphase on MnO Anode with Atomic Force Microscopy and Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nano letters, 2012, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 2153-2157 Zhang, J; Wang, R; Yang, XC; Lu, W; Wu, XD; Wang, XP; Li, H; Chen, LW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/03/19 Fabrication and Infrared Optical Properties of Nano Vanadium Dioxide Thin Films 期刊论文  OAI收割 acta physico-chimica sinica, 2009, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 1523-1529 作者:  Li GK;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：67/3  |  提交时间：2010/03/08 Dual ion beam sputtering  Nano-vanadium dioxide thin film  Transmission   Transparent and Light-Emitting Epoxy Super-Nanocomposites Containing ZnO-QDs/SiO2 Nanocomposite Particles as Encapsulating Materials for Solid-State Lighting 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, 2008, 卷号: 112, 期号: 47, 页码: 18616-18622 作者:  Yi XY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 ZNO NANOPARTICLES   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1998, 卷号: 123, 期号: 0, 页码: 343-346 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES