机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2020 [2]
• 2007 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structure Modulation in Confined Nanoparticles: The Role of the Strain Gradient 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 124, 期号: 39, 页码: 21810-21817 作者:  Chengwu Zou;   Ce Hu;   Hang Zhou;  Shanqing Li;   Xingfang Luo;   Jun He;   Cailei Yuan   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/05/24 Ferromagnetic behaviors in monolayer MoS2 introduced by nitrogen-doping featured 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 7, 页码: 073102 作者:  Mingyue Chen;  Ce Hu;  Xingfang Luo;   Aijun Hong;   Ting Yu;   Cailei Yuan   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/12/20 Preferential orientation growth of ain thin films on si (111) substrates by lp-mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445 作者:  Zhao, Yongmei;  Sun, Guosheng;  Liu, Xingfang;  Li, Jiaye;  Zhao, Wanshun 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminum nitride  Low pressure metalorganic chemical vapor deposition (lp-mocvd)  V/iii ratio  Preferential orientation growth mechanism   Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-4 作者:  Liu Xingfang;  Zhao Yongmei 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23