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半导体研究所 [3]
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采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2014 [1]
1998 [3]
1994 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
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浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
期刊论文
OAI收割
Solid-State Electronics, 2016
作者:
Xu GB(许高博)
;
Zhou HJ(周华杰)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Liu JB(刘金彪)
;
Wang Y(王垚)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/05/09
Effect of implanted species on thermal evolution of ion-induced defects in ZnO
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 7
Azarov, AY
;
Hallen, A
;
Du, XL
;
Rauwel, P
;
Kuznetsov, AY
;
Svensson, BG
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/14
Boron diffusion in ge+ premorphized and bf2+ implanted si(001)
期刊论文
iSwitch采集
Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 85-88
作者:
Zou, LF
;
Acosta-Ortiz, SE
;
Zou, LX
;
Regalado, LE
;
Sun, DZ
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Implantation
Ge ion
Bf2 ion
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
OAI收割
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
OAI收割
14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRICAL-PROPERTIES
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
BaF_2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1994, 期号: 10
陶振兰
;
王震遐
;
朱福英
;
章骥平
;
潘冀生
;
周祖尧
;
沈定中
;
袁湘龙
;
华素坤
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2013/01/23
REDUCTION OF SECONDARY DEFECTS IN BF, IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1994, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 175
ZHAO, QT
;
WANG, ZI
;
XU, TB
;
ZHU, PR
;
ZHOU, JS
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提交时间:2013/09/24
SILICON
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