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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Morphology and carrier mobility of high-B-content BxAl1xN ternary alloys from an ab initio global search 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 31, 页码: 11335-11342 作者:  Z. Qi;  Z. Shi;  H. Zang;  X. Ma;  Y. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2023/06/14 Investigation of native defects and impurities in X-N (X = Al, Ga, In) 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 188, 页码: 9 作者:  Chen, Yingjie;  Wu, Liyuan;  Liang, Dan;  Lu, Pengfei;  Wang, Jianjun   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/12/01 Group III nitrides  First-principles  Bulk modulus  Defect levels  Formation energies   Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation 期刊论文  OAI收割 Advanced Science, 2021, 卷号: 8, 期号: 18 作者:  H. Zang;  X. Sun;  K. Jiang;  Y. Chen;  S. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/06/13 Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Anglade, Pierre-Matthieu;  Chen, Jun;  Ruterana, Pierre   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/20 Inversion domain boundary (IDB)  Group III-nitrides  DFT  Chemical bonding  Electronic structure   Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5 作者:  Jiang H.;  Song H. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/24 Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30 作者:  S.M. Zhang(张书明);  Y.M. Fan(范亚明);  B.S. Zhang(张宝顺);  H. Yang(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/01/22 Diffusion  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting quaternary alloys   Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   InN Nanowire Transistors: Growth, Electronics & Photonics 会议论文  OAI收割 3rd IEEE International Nanoelectronics Conference, City Univ Hong Kong, Hong Kong, 2010-01 作者:  Cheng GS (程国胜) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/03/14 Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  INVERSION DOMAINS  HIGH-TEMPERATURE  GAN  SI(111)  ALN  SAPPHIRE   Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer 期刊论文  OAI收割 ieee international conference on group iv photonics gfp, IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 11, 页码: 114007, 114007 作者:  Li, Zhicong;  Li, Panpan;  Wang, Bing;  Li, Hongjian;  Liang, Meng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/14 Diodes  Electrostatic devices  Electrostatic discharge  Gallium alloys  Gallium nitride  Light emission  Diodes  Electrostatic Devices  Electrostatic Discharge  Gallium Alloys  Gallium Nitride  Light Emission