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采集方式

• OAI收割 [18]
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内容类型

• 期刊论文 [21]
• 专利 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2014 [1]
• 2013 [2]
• 2011 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Efficient Perovskite Solar Cells Based on Multilayer Transparent Electrodes through Morphology Control 期刊论文  OAI收割 Journal of Physical Chemistry C, 2016, 卷号: 120, 期号: 47 作者:  Liu, X.;  X. Y. Guo;  Z. H. Gan;  N. Zhang and X. Y. Liu 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/09/11 Influence of growth temperature on crystalline quality and Raman property of InAs0.6P0.4/InP 期刊论文  OAI收割 Optoelectronics Letters, 2014, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 269-272 作者:  Song H.;  Jiang H. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/04/24 Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48 作者:  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/09 Organometallic vapor phase epitaxy   TEM dislocations characterization of InxGa1-xAs/InP (100) (x=0.82) on mismatched InP substrate 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2013, 期号: 106 作者:  Zhao L. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/05/14 Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文  OAI收割 Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907 作者:  Li Z.;  Song H.;  Jiang H.;  Li D.;  Chen Y. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/10/21 Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文  OAI收割 Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907 作者:  Song H.;  Jiang H. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/10/21 Strain-compensated ingaas/inalas quantum cascade detector of 4.5 mu m operating at room temperature 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Kong Ning;  Liu Jun-Qi;  Li Lu;  Liu Feng-Qi;  Wang Li-Jun 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/InP grown by two-step growth method 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2010, 卷号: 506, 期号: 2, 页码: 530-532 作者:  Jiang H.;  Song H. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/10/21 Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Detector of 4.5 mu m Operating at Room Temperature 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038501 Kong N (Kong Ning); Liu JQ (Liu Jun-Qi); Li L (Li Lu); Liu FQ (Liu Feng-Qi); Wang LJ (Wang Li-Jun); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：195/33  |  提交时间：2010/04/22 WELL INFRARED PHOTODETECTORS  LASER   One-Dimensional InP-Based Photonic Crystal Quantum Cascade Laser Emitting at 5.36μm 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1278-1280 作者:  Li Lu;  Liu Junqi 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23