机构

• 半导体研究所 [10]
• 西安光学精密机械研究... [7]
• 上海技术物理研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 化学研究所 [1]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [23]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [20]
• 专利 [7]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2017 [2]
• 2016 [1]
• 2013 [1]
• 2008 [1]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [4]
• Multidisci... [1]
• Physics [1]
• Physics, M... [1]
• Science & ... [1]
• 半导体材料 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 141102 作者:  Huang Min;  Chen Jianxin;  Zhou Yi;  Xu Zhicheng;  He Li   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/13 PHOTODIODES  ENHANCEMENT   Effects of proton irradiation on upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 期号: 10, 页码: 36-44 作者:  Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ];  Fang, L (Fang, L.)[ 2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 1 ];  Zhang, QM (Zhang, Q. M.)[ 2 ];  Li, ZH (Li, Z. H.)[ 1,3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/08/07 Upright Metamorphic  Solar Cell  Proton Irradiation  Degradation  Srim   Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 2061-2066 作者:  Li P;  Tang HJ;  Li T;  Li X;  Shao XM   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/11/20 SOLAR-CELLS  LIFETIME  SILICON  INGAAS   High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   Design and fabrication of 1-D semiconductor nanomaterials for high-performance photovoltaics 期刊论文  OAI收割 SCIENCE BULLETIN, 2016, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 357-367 作者:  Han, Ning;  Yang, Zaixing;  Shen, Lifan;  Lin, Hao;  Wang, Ying 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/04/22 One-dimensional nanomaterials  Photovoltaics  Solar cells  Light absorption  Minority diffusion length  Semiconductor junction   The mechanism of the maximum photovoltage in perovskite oxide heterostructures with the critical thickness 期刊论文  OAI收割 EPL, 2013, 卷号: 102, 期号: 3 He, X; Jin, KJ; Ge, C; Wang, C; Lu, HB; Yang, GZ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/01/17 A morphological study of poly(butylene succinate)/poly(butylene adipate) blends with different blend ratios and crystallization processes 期刊论文  OAI收割 POLYMER, 2008, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 2342-2353 作者:  Wang, Haijun;  Gana, Zhihua;  Schultz, Jerold M.;  Yan, Shouke   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/09 Poly(Butylene Succinate)  Poly(Butylene Adipate)  Blends   Optical analysis of dislocation-related physical processes in gan-based epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891 作者:  Jiang, De-Sheng;  Zhao, De-Gang;  Yang, Hui 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 A study on the minority carrier diffusion length in n-type gan films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metals, 2007, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 271-275 作者:  Deng Dongmei;  Zhao Degang;  Wang Jinyan;  Yang Hui;  Wen Cheng Paul 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Compound semiconductor material  Minority carrier diffusion length  Photovoltaic spectrum  Gan   Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers 期刊论文  OAI收割 physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891 Jiang, DS (Jiang, De-Sheng); Zhao, DG (Zhao, De-Gang); Yang, H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION