机构

• 新疆理化技术研究所 [2]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2022 [1]
• 2020 [1]
• 2019 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者:  Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2];  Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2];  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2];  Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation  UTBB FD-SOI  1  f noise   Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)