机构

• 半导体研究所 [4]
• 合肥物质科学研究院 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2020 [2]
• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Observation of helical m/n=1/1 saturated steady mode in EAST pure electron heating scenario with q(0) <= 1 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR FUSION, 2020, 卷号: 60 作者:  Xu, Liqing;  Li, Erzhong;  Zhou, Tianfu;  Duan, Yanmin;  Huang, Yueheng   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/11/30 MHD  helical kink mode  nonlinear simulation  tokamak diagnostic  EAST tokamak   Saturated helical mode in EAST high beta hybrid plasmas 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR FUSION, 2020, 卷号: 60 作者:  Yuan, Yi;  Hu, Liqun;  Xu, Liqing;  Chao, Yan;  Liu, Haiqing   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/11/26 hybrid scenario  long-lived mode  helical core  toroidal rotation damping  mode coupling  flux pumping   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   New method for the growth of highly uniform quantum dots 会议论文  OAI收割 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN   New method for the growth of highly uniform quantum dots 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY