机构

• 半导体研究所 [3]
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采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [3]

学科主题

• Engineerin... [1]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Vapour-phase graphene epitaxy at low temperatures 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2012, 卷号: 5, 期号: 4, 页码: 258 Zhang, LC; Shi, ZW; Liu, DH; Yang, R; Shi, DX; Zhang, GY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 LARGE-AREA  FILMS  GRAPHITE  OXIDE  TRANSPARENT  EXFOLIATION  DEPOSITION  SHEETS  LAYERS   Horizontally aligned single-walled carbon nanotubes can bridge wide trenches and climb high steps 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2010, 卷号: 157, 期号: 2-3, 页码: 590-597 Rao, FB; Zhou, YX; Li, TE; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/12/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  R-PLANE SAPPHIRE  GROWTH-MECHANISM  LARGE-SCALE  LONG  TRANSISTORS  ARRAYS  CATALYSTS  SENSORS   Study on epitaxial silicon thin film solar cells on low cost silicon ribbon substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 83-91 作者:  Ai, B;  Shen, H;  Ban, Q;  Liang, ZC;  Li, XD 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/10/27 substrates  vapor-phase epitaxy  semiconducting silicon  solar cells   Growth and characterization of gainnas/gaas by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 516-520 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Zhang, W;  Wang, XU;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Adsorption  Characterization  Radiation  Molecular beam epitaxy  Nitrides   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：82/10  |  提交时间：2010/08/12 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   Remote Epitaxy and Exfoliation of GaN via Graphene 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 作者:  Han, Xu;  Yu, Jiadong;  Li, Zhenhao;  Wang, Xun;  Hao, Zhibiao   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/11/29 GaN  exfoliation  MOCVD  graphene  remote epitaxy   Influence of Graphene Stability on III-Nitride Remote Epitaxy for Exfoliation 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED NANO MATERIALS 作者:  Han, Xu;  Yu, Jiadong;  Yang, Peilong;  Liu, Bo;  Wang, Xun   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/08/28 III-nitride  exfoliation  MOCVD  graphene  remote epitaxy