机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Gdxsi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 作者:  Zhou, JP;  Chen, NF;  Zhang, FQ;  Song, SL;  Chai, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  Ion beam epitaxy  Semiconducting gadolinium silicide   GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  ion beam epitaxy  semiconducting gadolinium silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  TRANSITION  INSULATOR  SILICON  FILMS