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高輝度ダイオード出力の方法及びデバイス 专利  OAI收割
专利号: JP2011520292A, 申请日期: 2011-07-14, 公开日期: 2011-07-14
作者:  ウォラク,エドモンド,エル.;  ロメロ,オスカー,ディー.;  ハリソン,ジェイムズ;  パク,サン-ギ
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埋込異種構造の超発光ダイオード 专利  OAI收割
专利号: JP3136337B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-19
作者:  ジィー-キュー コング;  カム イン ラウ;  ナダヴ バー-ハイム;  イスラエル ユリィ
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
強壮なAlAsクラッド層を有する半導体デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP1994224462A, 申请日期: 1994-08-12, 公开日期: 1994-08-12
作者:  ケネス ジェラルド グロゴヴスキー;  ロナルド ユージェン リーバーグス;  ジョン ウィリアム ステイト,ジュニヤ;  ヴェンカタラマン スワミナザン;  キンバーリー ダウン チェニー トラップ
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31