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P型及びN型の不純物誘起層無秩序化材料を組み込んだ半導体デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP1995221409A, 申请日期: 1995-08-18, 公开日期: 1995-08-18
作者:  
トーマス エル パオリー;  ジョン イー ノースラップ
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P型不純物誘導層不規則化を生成する方法およびそのデバイス構造 专利  OAI收割
专利号: JP1995211661A, 公开日期: 1995-08-11
作者:  
ジョン イー ノースラップ;  トーマス エル パオリー
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