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	光学デバイス专利 OAI收割专利号: JP3389242B2, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-03-24 作者: リチヤード·マイケル·ジエンキンス; ジヨン·マイケル·ヒートン \| 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/12/24
	飽和性吸収体を備えた半導体レーザ专利 OAI收割专利号: JP3167042B2, 申请日期: 2001-03-09, 公开日期: 2001-05-14 作者: ジヨエル·ジヤツケ; ドウニ·ルクレルク; ジヤン-ルイ·リーバン; デイデイエ·シゴーニユ \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/12/26
	半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス专利 OAI收割专利号: JP1998107389A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24 作者: レオン·ゴルドスタン; フランソワ·ブリルエ; カトリーヌ·フオルタン; ジヨエル·ジヤケ; ポール·サレ \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2020/01/18