中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研... [17]
采集方式
OAI收割 [17]
内容类型
专利 [17]
发表日期
2019 [1]
2017 [1]
2015 [1]
2012 [1]
2009 [1]
2006 [3]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
オプトエレクトロニクス照明装置の製造方法およびオプトエレクトロニクス照明装置
专利
OAI收割
专利号: JP2019507376A, 申请日期: 2019-03-14, 公开日期: 2019-03-14
作者:
ウォイチック アンドレアス
;
ゲブール トビアス
;
ピンドル マルクス
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/31
テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム
专利
OAI收割
专利号: JP2017103460A, 申请日期: 2017-06-08, 公开日期: 2017-06-08
作者:
ダレザッセ ジョン
;
クラジュリック スティーブン ビー.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/31
レーザトラッカにおいて干渉計レーザビーム源として設置されるレーザダイオード
专利
OAI收割
专利号: JP2015501437A, 申请日期: 2015-01-15, 公开日期: 2015-01-15
作者:
トーマス リュティ
;
ブアクハート ベッケム
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/12/31
光電子デバイス及び光電子デバイスを製造する方法
专利
OAI收割
专利号: JP5015422B2, 申请日期: 2012-06-15, 公开日期: 2012-08-29
作者:
ケンドラ·ジェイ·ギャラップ
;
ジェームス·アルバート·マシュウズ
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/26
専用特殊照明分光法
专利
OAI收割
专利号: JP2009539459A, 申请日期: 2009-11-19, 公开日期: 2009-11-19
作者:
レンセン,ワウテル
;
フォン バズム,ゴロ
;
ラウプシャー,マルクス
;
リュカッセン,ヘルハルデュス
;
パラチョス,ミゲル
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/12/31
単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2006352133A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
作者:
デイビッド·ボーア
;
スコット·ダブリュー·コーザイン
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/12/31
耐久性を向上させるようにコーティングされた光学素子
专利
OAI收割
专利号: JP2006523024A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05
作者:
メイヤー,ロバート エル
;
セン,ポール エム
;
スパロー,ロバート ダブリュ
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/12/31
周期的にドーピングを変化させて形成された格子を備えている量子カスケードレーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2006270104A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05
作者:
スコット·ダブリュー·コルザイン
;
デイビッド·ピー·バワー
;
グロリア·イー·ホフラー
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/31
一体型冷却装置を有するヘッダアセンブリ
专利
OAI收割
专利号: JP2005518100A, 申请日期: 2005-06-16, 公开日期: 2005-06-16
作者:
ローゼンバーグ、ポール ケイ.
;
ジャレッタ、ジョルジョ
;
スキアッフィーノ、ステファノ
;
スチュワート、ジェームズ
;
ホフマイスター、ルドルフ ジェイ.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/12/30
多ビーム半導体量子井戸レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3536987B2, 申请日期: 2004-03-26, 公开日期: 2004-06-14
作者:
デイビッド ダブリュー.トリート
;
デイビッド ピー.バワー
;
トーマス エル.パオリ
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/26