机构

• 西安光学精密机械研究... [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 专利 [4]

发表日期

• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 1998 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法 专利  OAI收割 专利号: JP3418553B2, 申请日期: 2003-04-11, 公开日期: 2003-06-23 作者:  レオン·ゴールドスタン;  アンス·ビセシユール;  アラン·ボデール;  フランソワ·ブリユエ;  ジヤン·ルイ·ジヤントナー   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体素子及びその作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP3257254B2, 申请日期: 2001-12-07, 公开日期: 2002-02-18 作者:  冨岡 聡;  ヤン·ルベレゴ;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ 专利  OAI收割 专利号: JP1998012924A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  宮嶋 孝夫;  ヤン ル ベレゴ;  河合 弘治   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995094430A, 公开日期: 1995-04-07 作者:  石川 秀人;  ヤン·ルベレゴ;  奥洞 明彦   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26