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強壮なAlAsクラッド層を有する半導体デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP1994224462A, 申请日期: 1994-08-12, 公开日期: 1994-08-12
作者:  
ケネス ジェラルド グロゴヴスキー;  ロナルド ユージェン リーバーグス;  ジョン ウィリアム ステイト,ジュニヤ;  ヴェンカタラマン スワミナザン;  キンバーリー ダウン チェニー トラップ
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周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994020949A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
作者:  
ヤング-カイ チェン;  ミンウェイ ホン;  ジョセフ ペトラス マンナーツ;  ミン-チァン ウー
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