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半导体多层衬底、半导体自立衬底及其制备方法以及半导体器件 专利  OAI收割
专利号: CN100547734C, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07
作者:  
平松和政;  三宅秀人;  土田良彦;  小野善伸;  西川直宏
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氮化镓单晶基板及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1759469A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12
作者:  
平松和政;  三宅秀人;  坊山晋也;  前田尚良;  小野善伸
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/18