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立方晶III族窒化物半導体発光素子およびその作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998173283A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
作者:  
田中 秀尚;  中平 篤
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
III族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998125957A, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-05-15
作者:  
中平 篤;  田中 秀尚
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18