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	記録装置および発光素子駆動用基板专利 OAI收割专利号: JP2017063110A, 申请日期: 2017-03-30, 公开日期: 2017-03-30 作者: 遠藤航; 中村博之 \| 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/12/31
	半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ专利 OAI收割专利号: JP2009295879A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17 作者: 高橋博之; 中村幸治; 久保田宗親 \| 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/12/31
	窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法专利 OAI收割专利号: JP2000164512A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16 作者: 奥山浩之; 中村文彦; 中島博 \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2020/01/18