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光源装置 专利  OAI收割
专利号: JP2015075632A, 申请日期: 2015-04-20, 公开日期: 2015-04-20
作者:  
中野 誠二;  矢部 実透;  中村 恵司;  岡垣 覚
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窒化物半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999195840A, 申请日期: 1999-07-21, 公开日期: 1999-07-21
作者:  
坂本 恵司;  長濱 慎一;  中村 修二
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998178239A, 申请日期: 1998-06-30, 公开日期: 1998-06-30
作者:  
坂本 恵司;  中村 修二
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13