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西安光学精密机械研... [12]
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OAI收割 [12]
内容类型
专利 [12]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2003 [1]
2002 [2]
1994 [3]
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半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN100546041C, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
作者:
伊藤伸敏
;
淀川正弘
;
三和晋吉
;
桥本幸市
;
二上勉
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提交时间:2019/12/24
レーザ露光装置及び画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP2008197503A, 申请日期: 2008-08-28, 公开日期: 2008-08-28
作者:
菊池 吉晃
;
原田 吉和
;
冨田 教夫
;
伊藤 哲嗣
;
白井 伸弘
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提交时间:2019/12/31
集光用光回路及び光源装置
专利
OAI收割
专利号: JP3932982B2, 申请日期: 2007-03-30, 公开日期: 2007-06-20
作者:
長谷川 和男
;
市川 正
;
松原 弘幸
;
前田 光俊
;
伊藤 博
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提交时间:2019/12/26
面発光半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25
作者:
竹ノ内 弘和
;
舘野 功太
;
大礒 義孝
;
伊藤 義夫
;
天野 主税
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提交时间:2020/01/18
面発光型光源及びその製造方法、レーザ加工機用光源
专利
OAI收割
专利号: JP2002026452A, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-01-25
作者:
長谷川 和男
;
伊藤 博
;
松田 守弘
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提交时间:2019/12/31
集光光学系及びレーザ加工機用光源
专利
OAI收割
专利号: JP2002026466A, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-01-25
作者:
長谷川 和男
;
伊藤 博
;
松田 守弘
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提交时间:2020/01/18
半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994101582B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:
伊藤 和弘
;
松田 広志
;
藤原 一郎
;
長妻 一之
;
大内 博文
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提交时间:2020/01/18
導波路型第二高調波発生素子とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994230443A, 申请日期: 1994-08-19, 公开日期: 1994-08-19
作者:
楓 弘志
;
川本 和民
;
伊藤 顕知
;
黒沢 久夫
;
佐藤 正純
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提交时间:2020/01/18
導波路型第2高調波発生素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994160927A, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07
作者:
楓 弘志
;
伊藤 顕知
;
川本 和民
;
立野 公男
;
黒沢 久夫
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提交时间:2020/01/18
ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993279193A, 申请日期: 1993-10-26, 公开日期: 1993-10-26
作者:
楓 弘志
;
伊藤 顕知
;
川本 和民
;
黒沢 久夫
;
伊藤 康平
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提交时间:2019/12/31