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• 新疆理化技术研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

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• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2022 [1]
• 2018 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774 作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3   |  收藏  |  浏览/下载：131/0  |  提交时间：2022/05/06 碳化硅  总剂量效应  静态参数  动态特性  耗尽层   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2018/09/27 Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)