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2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果  OAI收割
院科技进步奖: 三等奖, 1992
刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅
收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2010/04/13
集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究 成果  OAI收割
院科技进步奖: 三等奖, 1991
林兰英; 何宏家; 刘巽琅; 曹福年; 白玉珂
收藏  |  浏览/下载:79/0  |  提交时间:2010/04/13
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果  OAI收割
国家科技进步奖: 三等奖, 1985
叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华
收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2010/04/13
高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1984, 期号: 2, 页码: 132-138
吴灵犀; 刘巽琅; 叶式中; 孟庆惠; 李永康
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2013/09/23