中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
成果 [3]
期刊论文 [1]
发表日期
1992 [1]
1991 [1]
1985 [1]
1984 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
2”直径的半绝缘磷化铟单晶
成果
OAI收割
院科技进步奖: 三等奖, 1992
刘巽琅
;
叶式中
;
赵建群
;
焦景华
;
曹惠梅
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/04/13
磷化铟单晶
集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究
成果
OAI收割
院科技进步奖: 三等奖, 1991
林兰英
;
何宏家
;
刘巽琅
;
曹福年
;
白玉珂
收藏
  |  
浏览/下载:79/0
  |  
提交时间:2010/04/13
半绝缘砷化镓
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
成果
OAI收割
国家科技进步奖: 三等奖, 1985
叶式中
;
刘巽琅
;
刘思林
;
孙同年
;
焦景华
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/04/13
磷化铟
高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1984, 期号: 2, 页码: 132-138
吴灵犀
;
刘巽琅
;
叶式中
;
孟庆惠
;
李永康
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/09/23