机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 成果 [3]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1992 [1]
• 1991 [1]
• 1985 [1]
• 1984 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果  OAI收割 院科技进步奖: 三等奖, 1992 刘巽琅; 叶式中; 赵建群; 焦景华; 曹惠梅 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/13 磷化铟单晶   集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究 成果  OAI收割 院科技进步奖: 三等奖, 1991 林兰英; 何宏家; 刘巽琅; 曹福年; 白玉珂 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2010/04/13 半绝缘砷化镓   可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果  OAI收割 国家科技进步奖: 三等奖, 1985 叶式中; 刘巽琅; 刘思林; 孙同年; 焦景华 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/13 磷化铟   高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1984, 期号: 2, 页码: 132-138 吴灵犀; 刘巽琅; 叶式中; 孟庆惠; 李永康 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/23