机构

• 物理研究所 [2]
• 西安光学精密机械研究... [2]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 专利 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [3]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000286449A, 申请日期: 2000-10-13, 公开日期: 2000-10-13 作者:  加藤 久喜;  小出 典克   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 碳酸钙形成过程中重金属离子的配分问题研究(2 )——研究进展和配分机制(英文) 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2000, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 205-219 陈万春; 加藤喜久雄; 陈中笑; 陈溯 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/22 碳酸钙形成过程中重金属离子的配分问题研究(1)——理论基础和实验方法(英文) 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 102-117 陈万春; 加藤喜久雄; 陈中笑; 陈溯 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/22 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999135832A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21 作者:  小出 典克;  小池 正好;  加藤 久喜   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31