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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者:  
中塚 慎一;  野本 悦子
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子及びその作製法 专利  OAI收割
专利号: JP1999145553A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者:  
中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  加藤 佳秋
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13
埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995111360A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者:  
山下 茂雄;  依田 亮吉;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  苅田 秀孝
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995111361A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者:  
山下 茂雄;  加藤 佳秋;  佐々木 真二;  依田 亮吉;  苅田 秀孝
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994037389A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10
作者:  
加藤 佳秋;  奥山 高康;  苅田 秀孝;  古越 堅司;  柏田 泰利
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13