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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2008311472A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
作者:  
北嶋 久義;  内田 智士
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
レーザビームプリンタ用光源装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000299526A, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24
作者:  
市原 淳;  北嶋 久義;  田辺 哲弘;  中原 健;  田中 治夫
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体装置の製法 专利  OAI收割
专利号: JP2000133881A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12
作者:  
北嶋 久義
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18