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机构
新疆理化技术研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2007 [1]
2006 [2]
2005 [2]
学科主题
Engineerin... [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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双极晶体管不同温度的退火效应与机理
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 150-153
作者:
汪东
;
陆妩
;
任迪远
;
李爱武
;
匡治兵
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提交时间:2012/11/29
双极晶体管
退火效应
界面态
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析
期刊论文
OAI收割
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
作者:
李爱武
;
余学峰
;
任迪远
;
汪东
;
匡治兵
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/11/29
互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件
总剂量辐照
阈电压
统计
CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 470-473,495
作者:
李爱武
;
余学峰
;
任迪远
;
汪东
;
匡治兵
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/11/29
CMOS
预辐照
筛选
退火
80C31单片机电路总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
作者:
匡治兵
;
郭旗
;
任迪远
;
李爱武
;
汪东
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/11/29
单片机
60Coγ辐照
辐射损伤
退火
大规模存储器电离辐射试验方法
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2005, 期号: 5, 页码: 489-492
作者:
匡治兵
;
郭旗
;
吾勤之
;
任迪远
;
陆妩
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提交时间:2012/11/29
测试方法
电离辐射
总剂量效应
存储器