机构

• 金属研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [2]
• 2005 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/12 界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696   HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文  OAI收割 2006年全国电子显微学会议, 沈阳, 2006-08-26 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/08/21 栅氧化层  氧化硅  高K介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术   掺Ag颗粒BaTiO_3薄膜的TEM研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2005, 期号: 4, 页码: 348 卓木金,马秀良 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/12 BaTiO_3薄膜:5877  小颗粒:5487  TEM研究:4472  形貌:2629  BaTiO3薄膜:1718  高分辨像:1431  微观结构:968  样品:966  微孪晶:901  基体:858