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GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998107317A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:  
柴田 真佐知;  古屋 貴士
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ構造 专利  OAI收割
专利号: JP2004104007A, 公开日期: 2004-04-02
作者:  
黒須 健;  古屋 貴士
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26