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机构
上海微系统与信息技术... [1]
高能物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2013 [1]
1981 [1]
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共2条,第1-2条
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In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2013, 期号: 12, 页码: 414-419
作者:
伊明江·买买提
;
阿布都艾则孜·阿布来提
;
Wu R(吴蕊)
;
Wang JO(王嘉鸥)
;
Qian HJ(钱海杰)
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提交时间:2015/12/25
vanadium dioxide
metal–insulator transition
electronic structure
photoemission spectroscopy
硅表面二氧化硅的氩离子溅射产额的测定
期刊论文
OAI收割
真空科学与技术, 1981, 期号: 04
王迅
;
林荣富
;
吴则嘉
;
钮成法
;
罗兴华
;
董锡威
;
高培德
;
章纯思
;
张永福
;
包伟国
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提交时间:2012/03/29