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一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法
专利
OAI收割
专利号: 200710044935.X, 申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1、陆卫
;
2、夏长生
;
3、李志锋
;
4、张波
;
5、甄红楼
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提交时间:2011/07/07
判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法
专利
OAI收割
专利号: 200710171904.0, 申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1陆卫
;
2夏长生
;
3李志锋
;
4张波
;
5甄红楼
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提交时间:2011/07/07
一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
专利
OAI收割
专利号: 200510111361.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1陆卫2夏长生3李志锋4张波 5李宁6陈效双7陈明法
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提交时间:2011/07/06
氮化镓基圆盘式单色光源列阵
专利
OAI收割
专利号: CN100401544C, 申请日期: 2008-07-09, 公开日期: 2008-07-09
作者:
陆卫
;
王少伟
;
夏长生
;
李志锋
;
张波
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提交时间:2019/12/26
氮化镓基发光二极管指示笔
专利
OAI收割
专利号: 200510110631.X, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1陆卫2王少伟3夏长生4李宁5李志锋6张波7陈平平8陈效双9陈明法
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提交时间:2011/07/06
氮化镓基圆盘式单色光源列阵
专利
OAI收割
专利号: 200610028490.1, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1陆卫2王少伟3夏长生4李志锋5张波
;
6李宁
;
7陈效双
;
8陈明法
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提交时间:2011/07/06
氮化镓基红外-可见波长转换探测器
专利
OAI收割
专利号: 200510030062.8, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者:
1陆卫2侯颖3甑红楼4李宁5夏长生6张波7陈平平8陈效双9陈明法
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提交时间:2011/07/06
氮化镓基光子晶体激光二极管
专利
OAI收割
专利号: CN100355160C, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2007-12-12
作者:
陆卫
;
王少伟
;
夏长生
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提交时间:2019/12/24
InGaN/GaN多量子阱发光二极管的功能特性与优化研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
夏长生
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提交时间:2012/08/14
Ingan/gan多量子阱发光二极管
器件模拟
Ingan量子点
发光效率
量子点尺寸和密度
应变
极化势
光学特性
量子点形状
发光机理
一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
专利
OAI收割
专利号: CN1298020C, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2007-01-31
作者:
陆卫
;
夏长生
;
李志锋
;
李宁
;
张波
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提交时间:2019/12/24