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• 西安光学精密机械研究... [3]

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• OAI收割 [3]

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• 专利 [3]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ⅲ族氮化物半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN100490190C, 申请日期: 2009-05-20, 公开日期: 2009-05-20 作者:  酒井浩光;  奥山峰夫   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体；使用该半导体的发光器件,发光二极管,激光器件和灯；及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1864277A, 申请日期: 2006-11-15, 公开日期: 2006-11-15 作者:  小早川真人;  友泽秀喜;  奥山峰夫   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片 专利  OAI收割 专利号: CN1639393A, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13 作者:  三木久幸;  樱井哲朗;  奥山峰夫   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18