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発光素子およびその製法 专利  OAI收割
专利号: JP3121202B2, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-12-25
作者:  
白木 靖寛;  深津 晋;  大森 宣典;  奥 秀彦
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量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995094430A, 公开日期: 1995-04-07
作者:  
石川 秀人;  ヤン·ルベレゴ;  奥洞 明彦
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