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机构
上海微系统与信息技术... [3]
微电子研究所 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2016 [1]
1989 [1]
1987 [1]
1985 [1]
学科主题
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共5条,第1-5条
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Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology
期刊论文
OAI收割
Microelectronics Engineering, 2016
作者:
Wang GL(王桂磊)
;
Qin ZL(秦长亮)
;
Yin HX(殷华湘)
;
Duan NY(段宁远)
;
Yang T(杨涛)
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提交时间:2017/05/09
非晶态Pd-Y-Si合金的电子结构
期刊论文
OAI收割
金属学报, 1989, 期号: 05
骆梅青
;
陈念贻
;
俞志中
;
宁远涛
;
周新铭
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2012/03/29
(Nd,Gd,Dy)-Ir系AB_3合金中间相的研究
期刊论文
OAI收割
金属学报, 1987, 期号: 03
陈念贻
;
徐桦
;
杨传铮
;
宁远涛
;
郑云
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/29
关于固溶体晶格常数的预测
期刊论文
OAI收割
金属学报, 1985, 期号: 01
宁远涛
;
徐桦
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提交时间:2012/03/29
Remote Epitaxy and Exfoliation of GaN via Graphene
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS
作者:
Han, Xu
;
Yu, Jiadong
;
Li, Zhenhao
;
Wang, Xun
;
Hao, Zhibiao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/11/29
GaN
exfoliation
MOCVD
graphene
remote epitaxy