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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2005 [1]
1998 [1]
1994 [2]
学科主题
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共4条,第1-4条
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
作者:
小野村 正明
;
波多腰 玄一
;
板谷 和彦
;
吉田 博昭
;
鈴木 真理子
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998294529A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:
波多腰 玄一
;
小野村 正明
;
ジョン·レニー
;
鈴木 真理子
;
布上 真也
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ光源ユニット
专利
OAI收割
专利号: JP1994123851A, 申请日期: 1994-05-06, 公开日期: 1994-05-06
作者:
緒方 司郎
;
伊藤 嘉則
;
村上 正典
;
濱田 明佳
;
中村 弘
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提交时间:2019/12/30
レーザビーム光源装置及びレーザビーム走査光学系
专利
OAI收割
专利号: JP1994118346A, 申请日期: 1994-04-28, 公开日期: 1994-04-28
作者:
中村 弘
;
小野 理
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提交时间:2019/12/31