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半導体レーザ素子の駆動条件設定方法 专利  OAI收割
专利号: JP2007266524A, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11
作者:  
石井 智之;  山本 卓也;  西本 陽二
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光半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP3281239B2, 申请日期: 2002-02-22, 公开日期: 2002-05-13
作者:  
山本 剛之;  小林 宏彦;  江川 満;  藤井 卓也
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2020/01/13
光半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000188441A, 申请日期: 2000-07-04, 公开日期: 2000-07-04
作者:  
山本 剛之;  藤井 卓也
  |  收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998107367A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
作者:  
渡辺 孝幸;  藤井 卓也;  山本 剛之;  石川 務
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13