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氮化物半导体元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
作者:  
菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉
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窒化物系半導体素子及び製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2003017790A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17
作者:  
石橋 明彦;  川口 靖利;  大塚 信之
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31