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西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2010 [1]
2003 [1]
1997 [1]
1995 [1]
学科主题
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共5条,第1-5条
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窒化物半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP4457417B2, 申请日期: 2010-02-19, 公开日期: 2010-04-28
作者:
川野 義弘
;
中村 修二
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提交时间:2020/01/13
面発光半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25
作者:
竹ノ内 弘和
;
舘野 功太
;
大礒 義孝
;
伊藤 義夫
;
天野 主税
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提交时间:2020/01/18
長波長帯面発光レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997064455A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
作者:
竹ノ内 弘和
;
大礒 義孝
;
舘野 功太
;
田所 貴志
;
黒川 隆志
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提交时间:2019/12/31
半導体レ-ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1995016079B2, 申请日期: 1995-02-22, 公开日期: 1995-02-22
作者:
森 義弘
;
石野 正人
;
横川 俊哉
;
八木田 秀樹
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提交时间:2020/01/13
面発光レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997027650A, 公开日期: 1997-01-28
作者:
舘野 功太
;
竹ノ内 弘和
;
大磯 義孝
;
若月 温
;
小濱 剛孝
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提交时间:2019/12/26