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窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP4457417B2, 申请日期: 2010-02-19, 公开日期: 2010-04-28
作者:  
川野 義弘;  中村 修二
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
面発光半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25
作者:  
竹ノ内 弘和;  舘野 功太;  大礒 義孝;  伊藤 義夫;  天野 主税
  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/01/18
長波長帯面発光レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997064455A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
作者:  
竹ノ内 弘和;  大礒 義孝;  舘野 功太;  田所 貴志;  黒川 隆志
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レ-ザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995016079B2, 申请日期: 1995-02-22, 公开日期: 1995-02-22
作者:  
森 義弘;  石野 正人;  横川 俊哉;  八木田 秀樹
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
面発光レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997027650A, 公开日期: 1997-01-28
作者:  
舘野 功太;  竹ノ内 弘和;  大磯 義孝;  若月 温;  小濱 剛孝
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26