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• 高能物理研究所 [2]

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• 期刊论文 [2]

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• 2024 [1]
• 2022 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析 期刊论文  OAI收割 大连理工大学学报, 2024, 卷号: 64, 期号: 01, 页码: 90-95 作者:  陈欢欢;  张贺秋;  邢鹤;  夏晓川;  张振中   |  收藏  |   The interface trap analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with temperature based on conductance method 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics: Conference Series, 2022, 卷号: 2248, 期号: 1, 页码: 12016 作者:  Liang, Yongfeng;  Zhang, Heqiu;  Chen, Huanhuan;  Xing, He;  Cai, Tao   |  收藏  |