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半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2010040649A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:  
平塚 健二
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009252839A, 申请日期: 2009-10-29, 公开日期: 2009-10-29
作者:  
吉村 学;  生駒 暢之;  平塚 健二
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18