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浏览/检索结果: 共47条,第1-10条 帮助

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聚焦高校招生改革 期刊论文  OAI收割
群言, 2011, 期号: 05, 页码: 4-11
作者:  
田刚;  刘长铭;  刘慕仁;  胡杨;  徐世杰
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密云水库流域水土流失综合防治体系研究及工程示范 成果  OAI收割
2011
段淑怀,刘宝元,武菊英,王晓燕,党安荣,叶芝菡,陈求稳,徐宗学,李世荣,阎育梅,韩富贵,唐莉华,李金海,陆文静,路炳军
收藏  |  浏览/下载:187/0  |  提交时间:2012/09/04
用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文) 期刊论文  OAI收割
电子器件, 2011, 期号: 01
孙浩; 齐鸣; 艾立鹍; 徐安怀; 滕腾; 朱福英
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2012/04/13
InP基RTD特性的数值模拟研究 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2010, 期号: 03
王伟; 孙浩; 孙晓玮; 徐安怀; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2012/01/06
InP基HEMT结构上制备的肖特基二极管 会议论文  OAI收割
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010
孙浩; 孙晓玮; 齐鸣; 王伟; 艾立鹍; 滕腾; 李凌云; 钱蓉; 徐安怀; 朱福英; 田彤
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2012/01/18
GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT 会议论文  OAI收割
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010
滕腾; 艾立鹍; 孙浩; 徐安怀; 朱福英; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2012/01/18
新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2010, 期号: 01
艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 朱福英; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/01/06
BESIII barrel time-of-flight (TOF) calibration using cosmic ray data 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS C, 2010, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 368-373
作者:  
Sun SS(孙胜森);  He KL(何康林);  Bian JM(边渐鸣);  Cao GF(曹国富);  Cao XX(曹学香)
收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2016/06/27
GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN101591811, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 齐鸣; 朱福英
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2012/01/06
一种ft为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管 期刊论文  OAI收割
红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4,81-84
作者:  
刘新宇;  程伟;  齐鸣;  徐安怀;  金智
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/06/01
Inp