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歐姆電極及其形成方法,以及發光元件 专利  OAI收割
专利号: TW240342B, 申请日期: 1995-02-11, 公开日期: 1995-02-11
作者:  
小澤正文;  伊藤哲;  成井二三代
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II-VI族化合物半導体素子の製法 专利  OAI收割
专利号: JP1994310811A, 公开日期: 1994-11-04
作者:  
小沢 正文;  中山 典一;  小林 俊雅;  宮嶋 孝夫;  成井 二三代
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26