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半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN100385757C, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2008-04-30
作者:  
渡部义昭;  成井启修;  黑水勇一;  山内义则;  田中嘉幸
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26
表面发光半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN1964145A, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16
作者:  
渡部义昭;  成井启修;  黑水勇一;  山内义则;  田中嘉幸
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/31
光学装置 专利  OAI收割
专利号: CN1120870A, 申请日期: 1996-04-17, 公开日期: 1996-04-17
作者:  
土居正人;  成井启修;  佐原健志;  松田修
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/13