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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009295761A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17 作者:  持田 篤範;  長谷川 義晃   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009295871A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17 作者:  折田 賢児;  吉田 真治;  長谷川 義晃;  持田 篤範   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2006108139A, 申请日期: 2006-04-20, 公开日期: 2006-04-20 作者:  木戸口 勲;  伊藤 啓司;  矢島 浩義;  持田 篤範   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13