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	科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 曾骏哲 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2017/09/26 电荷耦合器件位移损伤位移缺陷低温测试仿真模拟
	高能56Fe离子入射屏蔽材料的次级粒子模拟分析期刊论文 OAI收割核技术, 2016, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 32-38 作者: 荀明珠; 何承发; 陆妩; 郭旗; 孙静; 刘默寒; 曾骏哲; 王信; 陆妩; 何承发收藏 \| 浏览/下载：58/0 \| 提交时间：2016/12/03 Geant4 次级粒子屏蔽材料高能重离子
	质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响期刊论文 OAI收割红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40 作者: 汪波; 文林; 李豫东; 郭旗; 汪朝敏; 王帆; 任迪远; 曾骏哲; 武大猷; 郭旗; 李豫东; 文林收藏 \| 浏览/下载：84/0 \| 提交时间：2016/06/02 电荷耦合器件高能粒子辐照饱和输出电压电离总剂量效应
	In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258 作者: 玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 艾尔肯; 王海娇收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2015/09/10 In0.53Ga0.47As/In P 量子阱电子束辐照光致发光谱
	质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199 作者: 汪波; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2015/06/26 互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号质子辐射位移效应
	电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 225-232 作者: 曾骏哲; 何承发; 李豫东; 郭旗; 文林收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2015/06/26 电荷耦合器件质子辐照位移效应输运仿真
	质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180 作者: 曾骏哲; 李豫东; 文林; 何承发; 郭旗 \| 收藏 \| 浏览/下载：161/0 \| 提交时间：2016/06/07 电荷耦合器件质子辐照中子辐照输运仿真
	γ射线辐照CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应研究会议论文 OAI收割中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者: 汪波; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 任迪远 \| 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2018/06/04 Cmos Aps 暗信号像素单元结构电离总剂量 Locos隔离